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      • MOSFET大致可以分為以下幾類:平面型MOSFET;Trench (溝槽型)MOSFET,主要用于低壓領域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽柵溝槽)MOSFET,主要用于中壓和低壓領域;SJ-(超結)MOSFET,主要在高壓領域應用。隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起,中壓MOSFET的需求越來越大,中壓功率器件開始蓬勃發展,因其巨大的市場份額,國內外諸多廠商在相應的新技術研發上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表,被作為開關器件廣泛應用于電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統,是核心功率控制部件。SGT MOSFET結構具有電荷耦合效應,在傳統溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡,將器件電場由三角形分布改變為近似矩形分布,在采用同樣摻雜濃度的外延材料規格情況下,器件可以獲得更高的擊穿電壓。較深的溝槽深度,可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量,所以SGT在雪崩時可以做得更好,更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開關電源,電機控制,動力電池系統等應用領域中,SGT MOSFET配合先進封裝,非常有助于提高系統的效能和功率密度。

        SGT相對傳統Trench結構,具有低Qg 的特點。屏蔽柵結構的引入,可以降低MOSFET的米勒電容CGD達10倍以上,有助于降低器件在開關電源應用中的開關損耗。另外,CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應用中抑制shoot-through的關鍵指標,采用SGT結構,可以獲得更低的CGD/CGS比值。

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